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SDRAM工作原理及S3C2410 SDRAM控制器配置方法（1）
時(shí)間：2016-12-30作者：華清遠(yuǎn)見
SDRAM的工作原理、控制時(shí)序、及相關(guān)控制器的配置方法一直是嵌入式系統(tǒng)學(xué)習(xí)、開發(fā)過程中的一個(gè)難點(diǎn)。掌握SDRAM的知識(shí)對(duì)硬件設(shè)計(jì)、編寫系統(tǒng)啟動(dòng)代碼、提高系統(tǒng)存取效率、電源管理都有一定的意義。本文想通過：
1.SDRAM的工作原理。 這5個(gè)方面來(lái)幫助初學(xué)者了解SDRAM。文章分為2篇，第1篇講解前3個(gè)知識(shí)點(diǎn)，第2篇講解后2個(gè)。 一、SDRAM的工作原理 SDRAM之所以成為DRARM就是因?yàn)樗粩噙M(jìn)行刷新（Refresh）才能保留住數(shù)據(jù)，因此它是DRAM重要的操作。 那么要隔多長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)一次刷新呢？目前公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)是，存儲(chǔ)體中電容的數(shù)據(jù)有效保存期上限是64ms（毫秒，1/1000秒），也就是說每一行刷新的循環(huán)周期是64ms。這樣刷新速度就是：行數(shù)量/64ms。我們?cè)诳磧?nèi)存規(guī)格時(shí)，經(jīng)常會(huì)看到4096 Refresh Cycles/64ms或8192 Refresh Cycles/64ms的標(biāo)識(shí)，這里的4096與8192就代表這個(gè)芯片中每個(gè)Bank的行數(shù)。刷新命令一次對(duì)一行有效，發(fā)送間隔也是隨總行數(shù)而變化，4096行時(shí)為15.625μs（微秒，1/1000毫秒），8192行時(shí)就為7.8125μs。HY57V561620為8192 refresh cycles / 64ms。
SDRAM是多Bank結(jié)構(gòu)，例如在一個(gè)具有兩個(gè)Bank的SDRAM的模組中，其中一個(gè)Bank在進(jìn)行預(yù)充電期間，另一個(gè)Bank卻馬上可以被讀取，這樣當(dāng)進(jìn)行一次讀取后，又馬上去讀取已經(jīng)預(yù)充電Bank的數(shù)據(jù)時(shí)，就無(wú)需等待而是可以直接讀取了，這也就大大提高了存儲(chǔ)器的訪問速度。
（1）控制信號(hào)：包括片選、時(shí)鐘、時(shí)鐘使能、行列地址選擇、讀寫有效及數(shù)據(jù)有效。 SDRAM的所有操作都同步于時(shí)鐘。根據(jù)時(shí)鐘上升沿控制管腳和地址輸入的狀態(tài)，可以產(chǎn)生多種輸入命令。
模式寄存器設(shè)置命令。
根據(jù)輸入命令，SDRAM狀態(tài)在內(nèi)部狀態(tài)間轉(zhuǎn)移。內(nèi)部狀態(tài)包括模式寄存器設(shè)置狀態(tài)、激活狀態(tài)、預(yù)充狀態(tài)、寫狀態(tài)、讀狀態(tài)、預(yù)充讀狀態(tài)、預(yù)充寫狀態(tài)、自動(dòng)刷新狀態(tài)及自我刷新狀態(tài)。 1、行激活 行激活命令選擇處于空閑狀態(tài)存儲(chǔ)體的任意一個(gè)行，使之進(jìn)入準(zhǔn)備讀/寫狀態(tài)。從體激活到允許輸入讀/寫命令的間隔時(shí)鐘節(jié)拍數(shù)取決于內(nèi)部特征延時(shí)和時(shí)鐘頻率。HY57V561620內(nèi)部有4個(gè)體，為了減少器件門數(shù)，4個(gè)體之間的部分電路是公用的，因此它們不能同時(shí)被激活，而且從一個(gè)體的激活過渡到另一個(gè)體的激活也必須保證有一定的時(shí)間間隔。 2、預(yù)充電 預(yù)充電命令用于對(duì)已激活的行進(jìn)行預(yù)充電即結(jié)束活動(dòng)狀態(tài)。預(yù)充電命令可以作用于單個(gè)體，也可以同時(shí)作用于所有體（通過所有體預(yù)充電命令）。對(duì)于猝發(fā)寫操作必須保證在寫入預(yù)充電命令前寫操作已經(jīng)完成，并使用DQM禁止繼續(xù)寫入數(shù)據(jù)。預(yù)充電結(jié)束后回到空閑狀態(tài)，也可以再次被激活，此時(shí)也可以輸入進(jìn)入低功耗、自動(dòng)刷新、自刷新和模式設(shè)置等操作命令。 預(yù)充電中重寫的操作與刷新操作一樣，只不過預(yù)充電不是定期的，而只是在讀操作以后執(zhí)行的。因?yàn)樽x取操作會(huì)破壞內(nèi)存中的電荷。因此，內(nèi)存不但要每64ms刷新一次，而且每次讀操作之后還要刷新一次。 3、自動(dòng)預(yù)充電 如果在猝發(fā)讀或猝發(fā)寫命令中，A10/AP位置為“1”，在讀寫操作完成后自動(dòng)附加一個(gè)預(yù)充電動(dòng)作。操作行結(jié)束活動(dòng)狀態(tài)，但在內(nèi)部狀態(tài)機(jī)回到空閑態(tài)之前不能給器件發(fā)送新的操作命令。 4、猝發(fā)讀 猝發(fā)讀命令允許某個(gè)體中的一行被激活后，連續(xù)讀出若干個(gè)數(shù)據(jù)。第一個(gè)數(shù)據(jù)在經(jīng)過指定的CAS延時(shí)節(jié)拍后呈現(xiàn)在數(shù)據(jù)線上，以后每個(gè)時(shí)鐘節(jié)拍都會(huì)讀出一個(gè)新的數(shù)據(jù)。猝發(fā)讀操作可以被同體或不同體的新的猝發(fā)讀/寫命令或同一體的預(yù)充電命令及猝發(fā)停止命令中止。 5、猝發(fā)寫 猝發(fā)寫命令與猝發(fā)讀命令類似，允許某個(gè)體中的一行被激活后，連續(xù)寫入若干個(gè)數(shù)據(jù)。第一個(gè)寫數(shù)據(jù)與猝發(fā)寫命令同時(shí)在數(shù)據(jù)線上給出，以后每個(gè)時(shí)鐘節(jié)拍給出一個(gè)新的數(shù)據(jù)，輸入緩沖在猝發(fā)數(shù)據(jù)量滿足要求后停止接受數(shù)據(jù)。猝發(fā)寫操作可以被猝發(fā)讀/寫命令或DQM數(shù)據(jù)輸入屏蔽命令和預(yù)充電命令或猝發(fā)停止命令中止。 6、自動(dòng)刷新 由于動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元存在漏電現(xiàn)象，為了保持每個(gè)存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)的正確性，HY57V561620必須保證在64ms內(nèi)對(duì)所有的存儲(chǔ)單元刷新一遍。一個(gè)自動(dòng)刷新周期只能刷新存儲(chǔ)單元的一個(gè)行，每次刷新操作后內(nèi)部刷新地址計(jì)數(shù)器自動(dòng)加“1”。只有在所有體都空閑（因?yàn)?個(gè)體的對(duì)應(yīng)行同時(shí)刷新）并且未處于低功耗模式時(shí)才能啟動(dòng)自動(dòng)刷新操作，刷新操作執(zhí)行期間只能輸入空操作，刷新操作執(zhí)行完畢后所有體都進(jìn)入空閑狀態(tài)。該器件可以每間隔7.8μs執(zhí)行一次自動(dòng)刷新命令，也可以在64ms內(nèi)的某個(gè)時(shí)間段對(duì)所有單元集中刷新一遍。 7、自刷新 自刷新是動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的另一種刷新方式，通常用于在低功耗模式下保持SDRAM的數(shù)據(jù)。在自刷新方式下，SDRAM禁止所有的內(nèi)部時(shí)鐘和輸入緩沖（CKE除外）。為了降低功耗，刷新地址和刷新時(shí)間全部由器件內(nèi)部產(chǎn)生。一旦進(jìn)入自刷新方式只有通過CKE變低才能激活，其他的任何輸入都將不起作用。給出退出自刷新方式命令后必須保持一定節(jié)拍的空操作輸入，以保證器件完成從自刷新方式的退出。如果在正常工作期間采用集中式自動(dòng)刷新方式，則在退出自刷新模式后必須進(jìn)行一遍（對(duì)于HY57V561620來(lái)說，8192個(gè)）集中的自動(dòng)刷新操作。 8、時(shí)鐘和時(shí)鐘屏蔽 時(shí)鐘信號(hào)是所有操作的同步信號(hào)，上升沿有效。時(shí)鐘屏蔽信號(hào)CKE決定是否把時(shí)鐘輸入施加到內(nèi)部電路。在讀寫操作期間，CKE變低后的下一個(gè)節(jié)拍凍結(jié)輸出狀態(tài)和猝發(fā)地址，直到CKE變高為止。在所有的體都處于空閑狀態(tài)時(shí)，CKE變低后的下一個(gè)節(jié)拍SDRAM進(jìn)入低功耗模式并一直保持到CKE變高為止。 9、DQM操作 DQM用于屏蔽輸入輸出操作，對(duì)于輸出相當(dāng)于開門信號(hào)，對(duì)于輸入禁止把總線上的數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)單元。對(duì)讀操作DQM延遲2個(gè)時(shí)鐘周期開始起作用，對(duì)寫操作則是當(dāng)拍有效。 HY57V561620命令表如下圖所示：
二、HY57V561620 SDRAM介紹 1、HY57V561620的結(jié)構(gòu) HY57V561620存儲(chǔ)容量為4M×4bank×16位（32M字節(jié)），工作電壓為3.3V，常見封裝為54腳TSOP，兼容LVTTL接口，支持自動(dòng)刷新（Auto-Refresh）和自刷新（Self-Refresh），16位數(shù)據(jù)寬度。 HY57V561620引腳分布如圖2-1所示。
HY57V561620引腳信號(hào)描述
更具體的內(nèi)容可參考HY57V561620的用戶手冊(cè)。
三、S3C2410和HY57V561620的接線方法 1、確定BA0、BA1的接線 在S3C2410的Table 5-2. SDRAM Bank Address Configuration給出了SDRAM接線的參考方法。
上表中各段含義及和我們平臺(tái)的對(duì)應(yīng)：
Bank Size: 每個(gè)Bank的大小 （HY57561620是4M*16=64MB）Bus Width: 總線寬度 （兩顆HY57561620，32位） 所以Bank Address對(duì)應(yīng)A[25:24]，此處確定了HY57561620的BA0和BA1和S3C2410之間的接線。 2、確定其它接線
上圖是S3C2410手冊(cè)中給出的參考接線，通過這個(gè)圖可以確定HY57561620和S3C2410之間除BA0、BA1的所有其它接線。本例中，詳細(xì)的接線方法如“接線原理圖”小節(jié)。 3、接線原理圖
引腳描述如下：
nSRAS：SDRAM行地址選通信號(hào) ADDR[25:24]:bank選擇線
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